L’azienda asiatica è la prima ad avviare la produzione di massa dei nuovi moduli Nand destinati ai sistemi IT più avanzati
Samsung non si è persa in chiacchiere e dopo aver comunicato l’avvio del progetto per la realizzazione delle prime memorie SDRAM a 10 nm, ha ufficialmente dato il via alla produzione di massa. I moduli con chip DDR4 da 8 GB derivano da una tecnologia resa possibile da un processo chiamato ArF (Argon Fluoride) a immersione litografica che sostituisce il precedente sistema a ultravioletto. “Le DRAM di classe a 10nm di Samsung permetteranno di raggiungere elevati livelli di efficenza nei sistemi IT, diventando così il motore del prossimo mercato delle memorie” – ha detto Young-Hyun Jun, presidente del business di settore di Samsung Electronics.
Non solo IT
Il focus di realizzazione è certo quello delle prossime strutture IT ma non solo. Le memorie a 10nm, che al loro interno presentano sia un condensatore che un transistor, si rivolgeranno anche al settore consumer, con particolare attenzione al mondo degli smartphone. Entro la fine dell’anno i laboratori di Samsung cominceranno a produrre le DRAM DDR4 a 10nm per i telefonini UltraHD, il primo dei quali potrebbe essere il prossimo phablet Galaxy Note, atteso però in anticipo, durante l’IFA di Berlino. Ancora una volta la sudcoreana si pone all’avanguardia nella realizzazione di nuove tecnologie hi-tech. Due anni fa era stata la prima a produrre in massa le memorie a 20nm da 4Gb DDR3.
