Si chiama Joint Electronic Devices Engineering Council ed è l’organismo che ha il compito di stabilire gli standard di semiconduttori e altri oggetti per l’industria elettronica, comprese le memorie RAM dinamiche. Da qui è arrivato l’annuncio che in molti attendevano: la nuova generazione di barrette DDR5 sarà pronta per la commercializzazione nel 2018 e porterà con sé notevoli vantaggi nell’utilizzo quotidiano. Basti pensare che il prossimo modulo offrirà prestazioni doppie in termini di banda e densità rispetto agli attuali e una comprovata efficienza di canale. Si può parlare in un certo senso di rivoluzione, quattro anni dopo il lancio delle memorie DDR4 e sette dalle DDR3, viste per la prima volta nel 2007.

Altro standard

Accanto all’annuncio della quinta generazione, il JEDEC ha confermato anche l’arrivo di un nuovo standard per un tipo di memoria persistente: l’NVDIMM-P. Si tratta di moduli composti da chip NAND Flash impiegati per archivi non volatili e DRAM classiche. Questo vuol dire la possibilità di aggiungere alle qualità tradizionali anche quelle di mantenimento dei dati, ad esempio quando il sistema va in crash o manca la corrente, così da fornire una sorta di backup integrato di primo livello. Un altro vantaggio, secondo l’organismo, è nel poter sviluppare artefatti del genere a costi minori, con risultati migliori in termini di consumi energetici e prestazioni. “Al fianco dello standard attuale NVDIMM-N, l’NVDIMM-P sarà in grado di portare nelle moderne piattaforme di computing nuove capacità di memoria persistente” – si legge in un comunicato diffuso di recente. Tornando alle DDR5, è difficile ipotizzare quali saranno i primi dispositivi ad ospitarle ma c’è la speranza di “assaggiare” le novità sui notebook in uscita dalla seconda metà del 2018 in poi, magari anche a marchio Apple (che finora ha usato solo RAM DDR3 per motivi di spazio/consumi).

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Vada con la considerazione che la tecnologia oramai non conosce più limiti, ma abbiamo davvero bisogno di uno smartphone con ben 8 Gb di RAM? Stando a quanto circola intorno alla compagnia cinese LeEco pare di si, ed è per questo che presto potremmo comprarne uno. Pare fissata al 29 giugno la data di presentazione del prossimo dispositivo dell’azienda cinese, da poco presente anche in Italia attraverso il distributore Top Reseller Store, che tra l’altro localizza la ROM dei dispositivi LeEco personalizzandola per gli utenti italiani. Il giorno indicato per la presentazione del cellulare da record non è banale, visto che coincide con il secondo giorno del Mobile World Congress di Shanghai, in partenza appunto il 28 giugno.

Come sarà

Difficile pronosticare il resto delle caratteristiche tecniche di quello che dovrebbe chiamarsi Le Max 2 Pro. Si parla di un processore Snapdragon 821 con appunto 8 GB di RAM, una fotocamera posteriore da 25 megapixel, sensore di riconoscimento delle impronte digitali e un prezzo vicino ai 400 euro al cambio, che in Europa diventeranno sicuramente di più. Come detto, in Italia il marchio LeEco viene distribuito da Top Reseller Store che provvede non solo a pulire il sistema operativo da ogni residuo di lingua cinese, ma anche ad applicare una garanzia sui prodotti valida per 24 mesi nel nostro paese. Il prodotto più recente è il Le Max 2, che ha un display da 5.7 pollici QHD, 4 o 6 GB di RAM, 64 GB di memoria interna, camera da 21 megapixel e processore Qualcomm Snapdragon 820.

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Samsung non si è persa in chiacchiere e dopo aver comunicato l’avvio del progetto per la realizzazione delle prime memorie SDRAM a 10 nm, ha ufficialmente dato il via alla produzione di massa. I moduli con chip DDR4 da 8 GB derivano da una tecnologia resa possibile da un processo chiamato ArF (Argon Fluoride) a immersione litografica che sostituisce il precedente sistema a ultravioletto. “Le DRAM di classe a 10nm di Samsung permetteranno di raggiungere elevati livelli di efficenza nei sistemi IT, diventando così il motore del prossimo mercato delle memorie” – ha detto Young-Hyun Jun, presidente del business di settore di Samsung Electronics.

Non solo IT

Il focus di realizzazione è certo quello delle prossime strutture IT ma non solo. Le memorie a 10nm, che al loro interno presentano sia un condensatore che un transistor, si rivolgeranno anche al settore consumer, con particolare attenzione al mondo degli smartphone. Entro la fine dell’anno i laboratori di Samsung cominceranno a produrre le DRAM DDR4 a 10nm per i telefonini UltraHD, il primo dei quali potrebbe essere il prossimo phablet Galaxy Note, atteso però in anticipo, durante l’IFA di Berlino. Ancora una volta la sudcoreana si pone all’avanguardia nella realizzazione di nuove tecnologie hi-tech. Due anni fa era stata la prima a produrre in massa le memorie a 20nm da 4Gb DDR3.

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Samsung è già al lavoro per la produzione della prima DRAM LPDDR4 da 12GB, basata su una tecnologia a 20nm. Cosa c’entra con i dispositivi mobili? Grazie ai nuovi moduli, più piccoli e performanti, in futuro sarà possibile inserire nello spazio occupato oggi da 1,5 GB di RAM sino a 3 GB, arrivando così a sviluppare un cluster da 6 GB totali. Il vantaggio è che l’architettura hardware dei moderni cellulari non dovrà essere modificata visto che tecnicamente lo spazio dedicato resta lo stesso. Del resto lo hanno già dimostrato Asus e OnePlus che con i loro nuovi modelli hanno sdoganato il formato 6 GB nella memoria mobile.

Più potenza ed efficienza

“Con la DRAM da 12 GB – spiega Samsung – non solo diamo la possibilità ai costruttori di migliorare le performance dei loro prodotti ma garantiamo ai consumatori una serie di funzionalità finora precluse al mondo del mobile. Inoltre abbiamo intenzione di collaborare con i nostri fornitori globali per realizzare un nuovo mercato digitale che abbracci il potenziale di tecnologie all’avanguardia, come la nuova generazione di moduli RAM”. Non è dunque improbabile che il prossimo Galaxy S7, che potrebbe vedere la luce nella prossima primavera, possa integrare 6 GB di DDRAM, seguendo così la linea dei modelli che la adottano attualmente.

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A cosa serve spendere centinaia di euro per uno smartphone che dovrebbe avere ben 3 GB di RAM ma che alla fine ne lascia libera solo tra i 200 e i 400 MB? È questo il dilemma che attanaglia gli utenti degli ultimi due prodotti di punta del settore mobile di Samsung che per primi sul forum del sito per smanettoni XDA avevano evidenziato i problemi di performance della memoria volatile. Secondo i test eseguito dagli stessi utenti, durante un utilizzo medio del Galaxy S6 e del Galaxy S6 Edge, restano liberi poche centinaia di MB rispetto ai GB dell’ultima generazione di RAM DDR4 che è montata sui dispositivi della nordcoreana. Questo vuol dire essenzialmente che gli smartphone usano perennemente circa 2,5 GB di memoria anche per le operazioni più basilari causando un evidente rallentamento del telefono soprattutto quando si viaggia in rete con Chrome.

Samsung lo sa

Come dovrebbe fare qualsiasi compagnia al mondo che vende hi-tech ma non solo, Samsung ha preso visione del problema ed ha ammesso le incertezze promettendo il rilascio di una pronta soluzione. L’azienda ha fretta di risolvere presto le difficoltà nella gestione della RAM dei due terminali visto che le voci si rincorrono pericolosamente sul web e il dubbio sull’acquisto potrebbe realmente essere influenzato dai tentennamenti evidenziati su XDA. “Il telefono mi piace molto – ha scritto un utente – ma mi ritrovo costantemente con 200 o 400 MB di memoria liberi senza utilizzare app strane o invasive. Bisogna provvedere”. A differenza di quanto avviene con update del sistema operativo Android, Samsung procederà in autonomia da Google per apportare al firmware dei due device le dovute correzioni per il ripristino di una corretta gestione della memoria RAM. Per questo non dovrebbe volerci molto per ricevere l’aggiornamento la cui disponibilità può essere verificata anche manualmente andando in Impostazioni – Info sul dispositivo – Aggiornamenti software.

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C’era grande attesa fra gli utenti per il nuovo iMac low cost (1.129 euro per la versione da 21,5″) ma molti di loro ne sono rimasti piuttosto delusi. Il prezzo ridotto di 200 euro del desktop all-in-one lanciato ieri ha costretto Apple, che ha chiuso la questione della class action sul cartello degli e-book con un patteggiamento, a tagliare alcuni aspetti che hanno reso il dispositivo meno performante. Le brutte notizie però non finiscono qui.

iMac 21,5″: la RAM non è sostituibile

Il nuovo iMac sfrutta dotazioni meno performanti (processore Intel Core i5 da 1,4 GHz e scheda grafica Intel HD 5000) rispetto ai soliti standard e rende disponibili solo 500GB di storage.

L’aspetto che però ha fatto storcere di più il naso ai fan della Mela, che ha deciso di ritirare i caricabatterie difettosi, è l’impossibilità di sostituire la RAM. Il reseller statunitense Other World Computing ha pubblicato un’immagine del nuovo iMax che dimostrerebbe che la memoria volatile da 8 GB è saldata sulla scheda logica, cosa che ne impedisce di fatto la rimozione.

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Samsung non fornisce più i microprocessori ad Apple ma la Mela è comunque riuscita a installare sul proprio iPhone 5S il nuovo chip A7 a 64 bit, l’unico dispositivo in grado di raccogliere i dati biometrici del’utente. L’azienda coreana,che ha recentemente presentato il suo SMART watch Galaxy Gear, non vuole certo rimanere indietro e per il prossimo anno progetta di usufruire di questa tecnologia.

Un chip A7 anche per Samsung

A riferire la notizia è il Korea Times, che ha riportato le parole Shin Jong-Kyun, Chief Executive Officer. Pare che l’azienda coreana sente il bisogno di una più efficiente gestione della memoria e di una quantità di RAM superiore (oltre i 4 Gigabyte), tutti vantaggi portati da una architettura da 64 bit. Nel frattempo Samsung sta impiegando la maggior parte dei suoi sforzi per essere la prima azienda a commercializzare uno smartphone con schermo flessibile e battere sul tempo concorrenti come LG.

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