Intel e Micron per una nand flash 3D da 10TB

Gli ingegneri delle due aziende collaborano per realizzare una memoria che aumenti di tre volte la capacità degli attuali SSD sul mercato

Intel ha avviato una collaborazione con Micron per costruire una memoria flash Nand 3D che porti la capacità dei dischi allo stato solido a un massimo di 10TB, circa il triplo di quanto possibile oggi. Tutto ciò sarà possibile grazie alla particolare struttura tridimensionale che permette alle celle della memoria di essere installate in pile verticali invece che di una sola espansione orizzontale. In realtà Micron già da tempo ha in mente un progetto del genere e con Intel potrà realizzarlo in un tempo minore.

Legge di Moore

Tradizionalmente le celle esistono in due dimensioni; il concetto delle Nand 3D è che la stringa di memoria venga rimodulata in una terza scala, quella appunto che apre all’altezza. Volendo interpretare le celle come un’asse bidimensionale, gli sviluppatori possono dunque andare oltre lo spazio delimitato dalle x e y per allargarsi in profondità posizionando le parti informatiche l’una sopra l’altra. La tecnica viene già utilizzata da Samsung sui dischi V-Nand proprietari che si fermano però a 3,2 TB per unità senza poter lontanamente toccare i i 10 TB previsti da Intel e Micron. La tecnologia pensata dalle due aziende permette infatti una distribuzione delle celle in 32 livelli così da produrre componenti a 256 Gbit su architetture multiple e 384 Gbit su quelle triple, un bel salto in avanti rispetto agli standard a cui eravamo abituati. Entusiasmo e soddisfazione da Giri Giridhar, vice presidente di Intel per lo sviluppo prodotto: “Possiamo costruire SSD con densità davvero elevate – ha detto – fino a 10 TB in dimensioni da 2,5 pollici. La collaborazione permetterà alla Legge di Moore di correre più velocemente”.

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